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英特尔3D NAND:下一代产品将在2017下半年面世

人气:2509发表于:2016-08-27 09:40:00

  7月12日Intel & Richmax再次在深圳举办了3D Nand Technical Workshop,介绍了Intel相关3D NAND的近况。

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  英特尔第一代3D NAND,采用32层堆叠,是50nm到34nm之间的工艺,分为TLC与MLC两个系列,代号分别是L06B和B0KB,其中L06B是MLC产品的代号,容量为256Gb(32GB)采用ONFI 4.0标准,闪存寿命是5000 P/E。

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  B0KB容量为384Gb(48GB),由于是TLC架构,所以采用了ECC纠错能力较高的LDPC提高NAND Flash的耐用性,可将TLC闪存寿命提高到1500 P/E。

会议上简单的提到了英特尔下一代3D NAND,堆叠层数会多于现在的32层,保守点估计是48层,也可能是64层,将在2017年下半年推出样品,预计到2018年才会量产。

  2016年除了三星将3D NAND广泛用于950 Pro、650、850等系列SSD中,消费类市场主要还是TLC SSD当道,但随着东芝/SanDisk、美光、SK海力士等加快投入3D NAND生产,3D SSD已掀起了一场新的战局。

  日前,三星采用先进的48层3D NAND推出容量高达4TB的SSD,SK海力士早在2016年初也展示了一款采用36层3D NAND的企业级SSD,美光则基于Marvell 88SS1074控制芯片推出了适用于零售市场的MX300和面向PC OEM市场的1100系列3D SSD,以及面向数据中心存储的2100系列3D SSD。

  英特尔也推出了首款数据中心存储应用的DC P3320系列3D SSD,并将在年底前面向消费类市场推出基于PCIe接口的3D SSD,以Flash原厂推出的3D SSD观察,基于3D NAND更大容量的优势,将优先企业级和数据中心存储应用,稍后再普及到消费类市场。




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